近日，全球各大半導(dǎo)體廠搶進(jìn)先進(jìn)制程，紛砸大錢向獨(dú)家供應(yīng)商艾司摩爾（ASML），訂購要價(jià)1.5億美元（折合人民幣約10億元）起跳的極紫外光微影設(shè)備（EUV）。據(jù)了解，ASML今年規(guī)劃生產(chǎn)的12臺(tái)EUV機(jī)臺(tái)中，三星擬訂下10臺(tái)，外界推測(cè)三星此舉除考量ASML生產(chǎn)不順外，也趁機(jī)阻礙臺(tái)積電等其他競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的量產(chǎn)進(jìn)度。詳情一起來了解。

三星力拼7納米制程 隨著半導(dǎo)體制程愈來愈先進(jìn)，使得10納米以下先進(jìn)制程，必須導(dǎo)入波長(zhǎng)只有13.5納米的極紫外光（EUV），才能降低晶圓制造的光罩?jǐn)?shù)，縮短晶片制程流程。

雖然目前ASML開發(fā)的EUV機(jī)臺(tái)造價(jià)相當(dāng)昂貴，但三星已率先在7納米導(dǎo)入EUV，未來2年包括英特爾（Intel）、臺(tái)積電、格羅方德（GF）等也都計(jì)劃采用。

由于先前曾傳出光學(xué)鏡頭生產(chǎn)商蔡司（Carl Zeiss）供應(yīng)不足，導(dǎo)致ASML的EUV機(jī)臺(tái)生產(chǎn)不順。而如果最后三星真的將該關(guān)鍵設(shè)備壟斷，將阻礙其他競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電的開發(fā)先進(jìn)制程的進(jìn)度，而這對(duì)于三星拓展晶圓代工業(yè)務(wù)相當(dāng)有利。

EUV帶來技術(shù)性突破 極紫外光刻（Extreme Ultraviolet Lithography）又被稱作EUV光刻，它以波長(zhǎng)為10——14納米的極紫外光作為光源的光刻技術(shù)。具體為采用波長(zhǎng)為13.4納米的軟X射線。極紫外線就是指需要通過通電激發(fā)紫外線管的K極然后放射出紫外線。

據(jù)悉，EUV光刻采用波長(zhǎng)為10-14納米的極紫外光作為光源，可使曝光波長(zhǎng)一下子降到13.5納米，它能夠把光刻技術(shù)擴(kuò)展到32納米以下的特征尺寸。

目前，光刻技術(shù)已成為現(xiàn)代集成電路設(shè)計(jì)上最大的瓶頸。以往CPU使用的45納米、32納米工藝都是由193納米液浸式光刻系統(tǒng)來實(shí)現(xiàn)的，但是因受到波長(zhǎng)的影響還在這個(gè)技術(shù)上有所突破是十分困難的，而采用 EUV光刻技術(shù)就會(huì)很好的解決此問題，也會(huì)為該領(lǐng)域帶來一次飛躍。

EUV或成芯片企業(yè)致勝關(guān)鍵 事實(shí)上，三星先前在OLED的市場(chǎng)爭(zhēng)奪戰(zhàn)中就用過相同手段，并因此嘗到甜頭。三星當(dāng)時(shí)也是從獨(dú)家供應(yīng)商日本Canon Tokki手中，將生產(chǎn)的7臺(tái)OLED蒸鍍機(jī)買下其中5臺(tái)，讓競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手LG Display及中國大陸的京東方分別只搶到1臺(tái)，發(fā)展追不上三星。

而臺(tái)積電作為全球最大的半導(dǎo)體代工企業(yè)也有它的優(yōu)勢(shì)，由于它一直居于領(lǐng)先地位，獲取了豐厚的利潤，這為它持續(xù)研發(fā)先進(jìn)工藝提供了資金支持，近兩年在三星的逼迫下它正在不斷提升研發(fā)投入。

事實(shí)上，在7納米工藝上的競(jìng)爭(zhēng)，可能會(huì)引發(fā)全球兩大芯片企業(yè)高通和蘋果訂單的變動(dòng)，業(yè)界傳出消息指高通很可能將其明年的高端芯片驍龍845交給臺(tái)積電，而三星則可能奪得蘋果A12處理器的訂單。