如今，固態硬盤的發展迅速，技術也逐步成熟，對于選購固態硬盤不再只是容量選擇的那么簡單，更多人群更在意的是性能與顆粒類型，而對于SSD顆粒類型，相信不少用戶對QLC、SLC、MLC、TLC顆粒類型一無所知，而尤其是最新推出的搭載QLC顆粒的固態硬盤來說，不少用戶稱QLC顆粒不好。那么QLC顆粒怎么樣？下面分享一下固態硬盤QLC、SLC、MLC、TLC顆粒區別對比知識。

固態硬盤QLC、SLC、MLC、TLC顆粒區別對比知識

根據NAND閃存中電子單元密度的差異，又可以分為SLC（單層次存儲單元）、MLC（雙層存儲單元）、TLC(三層存儲單元)以及最新推出的QLC（四層存儲單元）。固態硬盤依靠閃存芯片來存儲數據，里面存放數據最小單位叫作“Cell”，SLC每個cell可以存放1bit數據，MLC每個cell可以存放2bit數據，TLC每個cell可以存放3bit數據，而QLC可以存放4bit數據。

為了小白更好的理解其中的意義，我來舉個例子，我們將芯片可以看做一張畫滿格子的紙張，cell相當于紙張上的一個個的格子，數據看做是一個黃豆。也就是說，SLC方案每個格子中只能放入一顆黃豆，所以存儲空間較小，MLC方案每個格子可以放入兩顆黃豆，TCL方案每個格子可以放入三顆黃豆，而QLC方案每個格子可以存放四個黃豆，成本不變的情況下，存儲空間較大。要知道這個紙張（芯片晶圓）價格也十分昂貴的，也就是說同樣的晶圓如果做成SLC只有128G，做成MLC就有256G了，做成TLC的話變成512G，而做成QLC我們可以做成更大容量，而成本是相同的。

QLC顆粒

QLC、SLC、MLC、TLC顆粒區別對比

SLC（單層存儲單元）

全稱是Single-Level Cell，單層電子結構，每個cell可以存放1bit數據，SLC達到1bit/cell，寫入數據的時候電壓變化區間小，P/E壽命較長，理論擦寫次數在10萬次以上，但是由于成本最高，所以SLC顆粒多數用于企業級高端產品中。

MLC（雙層存儲單元）

全稱是Multi-Level Cell，使用高低電壓的而不同構建的雙層電子結構，MLC達到2bit/cell，P/E壽命較長，理論擦寫次數在3000-5000次左右，成本相對較高，但是對于消費級來說也可以接受，多用于家用級高端產品中。

TLC（三層存儲單元）

全稱是Trinary-Level Cell，三層式存儲單元，是MLC閃存延伸，TLC達到3bit/cell，由于存儲密度較高，所以容量理論上是MLC的1.5倍，成本較低，但是P/E壽命相對要低一些，理論擦寫次數在1000-3000次不等，是目前市面上主流的閃存顆粒。

QLC（四層存儲單元）

全稱是Quad-Level Cell，四層式存儲單元，QLC閃存顆粒擁有比TLC更高的存儲密度，同時成本上相比TLC更低，優勢就是可以將容量做的更大，成本上更低，劣勢就是P/E壽命更短，理論擦寫次數僅150次。

QLC、SLC、MLC、TLC顆粒對比

QLC顆粒為什么不好？

每一個Cell單元存儲數據越多，單位面積容量就越高，但是同時會導致不同電壓狀態越多，并且越難控制，所以采用QLC顆粒的固態，雖然容量更大價格更便宜，但是穩定性較差，并且P/E壽命較低，速度最慢。

總結：

QLC NAND最大的優勢就是在于成本更低，相同的成本下能夠做出更大容量的SSD，容量將不再受到限制，1TB容量對于QLC顆粒來說，都是小意思，幾十到上百TB才是主流，大容量固態硬盤時代開始了。但是對于P/E壽命和速度來說，這是QLC顆粒最大劣勢之處，P/E壽命的公式是擦寫次數*容量/每天擦寫量/365，但是QLC顆粒的固態硬盤容量都很大，假設1個1TB的QLC顆粒的固態硬盤，每天擦寫100G，也就是它的壽命=1024*100/100/365，約2.8年，還有這個最大寫入次數也是理論上的，超出不一定就100%壞了，關鍵電腦不可能每天打開，也有休息的時候，加之每天不可能都擦寫100G，所以它的壽命也是不用太擔心的，等待固態硬盤壞了，整臺電腦也淘汰了。

QLC顆粒相信不少用戶會說是技術倒退，但是對于廠商來說，目前用戶對存儲容量需求隨之提高，目前TLC和MLC顆粒大容量的固態硬盤價格偏貴，更低成本更大容量才是未來趨勢，相信QLC顆粒會使得固態硬盤進入大容量廉價時代。